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日本将在2016发动GaN开发项目

来源:http://www.zhyxz.com 责任编辑:ag88环亚 2018-08-13 06:25

  日本将在2016发动GaN开发项目

  日本文部科学省(简称“文科省”)将于2016年度内发动名为“有助于完结节能社会的新一代半导体研讨开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的榜首个电子元器材项目”。该项意图中心力气是2014年诺贝尔物理学奖得主——名古屋大学的天野浩教授领导的研制小组。项目为期5年,榜首年(2016年度)的预算为10亿日元。

  天野教授2014年因创造蓝色LED而取得诺贝尔物理学奖,据介绍,这也是建立该项意图一个关键。在日本内阁府和经济工业省都有新一代功率半导体研制项意图状况下,“此项意图特点是瞄准(功率元件的)用处,回过头去做GaN的根底研讨,解明其原理”(文科省负责人)。

  

  分晶体、器材、点评3个研讨范畴

  该项目设置了三大研讨范畴,榜首是开发合适功率元件的高品质GaN晶体。这是该项意图中心。将以名古屋大学为中心,还有大阪大学及丰田中心研讨所(丰田中研)等参与,项目负责人是天野教授。

  在这个中心点上,为了制造缺点少的高品质GaN晶体,将考虑建立在晶体生长进程中实时观测状况,以解明缺点机制和加以操控的技能。而且,还将经过新的晶体生长模仿来解明晶体生长进程及操控办法。方针是完结“榜首性原理核算”、“热力学剖析”、“数值流体力学”3者无缝衔接进行剖析的“多物理场晶体生长模仿”。

  第二是制造功率元件的“功率器材与体系范畴”。这部分由曾在丰田中心研讨所进行GaN类半导体元件研讨、现在上任于名古屋大学的加地彻担任负责人。有日本北海道大学、日本法政大学及丰田中研等参与。

  第三是点评前两个范畴制成的晶体和功率元件的“点评根底范畴”。由日本物质资料研讨机构的小出康夫担任负责人。有东北大学、丰田组成及富士电机等参与。

  2030年完结开关频率1MHz以上、输出功率100kVA以上

  此次的项目瞄准2030年实用化,提出了5年后要达到的研讨方针。2030年的实用化方针大致有两方面。榜首,完结开关频率1MHz以上、且以100kVA以上的输出功率作业的功率元件。计划首要经过在GaN基板上层叠GaN类半导体的“立式”元件来完结。

  第二,完结在功率元件上集成操控电路等外围电路的“智能功率器材”。LED车灯成未来轿车照明体系时髦新宠想象首要经过横式元件完结。

  为了完结2030年的这些方针,5年后要达到的方针如下。

  在晶体范畴,不仅是要制造高品质的晶体,而是要制造合适功率元件的晶体。要清晰晶体缺点的发作机制,开发晶体生长模仿办法等。

  在功率元件范畴,将瞄准量产,开发能安稳制造该元件的技能。在点评范畴,要拟定肖特基结、PN结及MIS结等“根底元件结构”的电气点评规范,也就是“以制造TEG(Test Element Group)为方针”(文科省负责人)。

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