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日本宣告开宣布可从蓝宝石基板上剥离GaN类半导体薄膜元件的工艺

来源:http://www.zhyxz.com 责任编辑:ag88环亚 2018-08-13 22:10

  日本宣告开宣布可从蓝宝石基板上剥离GaN类半导体薄膜元件的工艺

  日前,日本电信电话(NTT)宣告开宣布可从蓝宝石基板上轻松剥离LED等运用的GaN(氮化钾)类半导体薄膜元件的工艺。

  该技能能够以低本钱制作厚度为2μm的薄型GaN类半导体薄膜元件,有望扩展GaN类半导体薄膜资料的运用规模,比方可视光透往后只高效吸收紫外线的太阳能电池,以及厚度为200μm的薄型LED等。别的,经过增大可剥离的薄膜元件的面积,还有望在大面积的薄膜元件上层叠其他资料构成具有新功能的薄膜元件等用处。

  据NTT介绍,在蓝宝石基板上层叠、加工GaN类半导体薄膜元件,用来制作器材时,基板的厚度必需要到达0.5mm左右。因而,全世界都在研讨如安在加工后将薄膜元件从基板上无缺剥离下来,并粘贴到其他基板上的技能。NTT的物性科学根底研讨所着眼于与石墨具有相同层状结晶结构的BN(氮化硼)打开研讨,开宣布了MeTRe法(Mec hanical Transfer using a RELease layer)。MeTRe法能够无缺坚持剥离后的结晶面,因而可省去曾经提出的转印办法所必需的、在剥离后削平外表的工序。并且,40.23亿只!2016年全国荧光灯职业同比下降6.08%,运用MeTRe法剥离也不需要大型设备及化学药剂,有望大幅减少制作时刻及制作本钱。

  作为开发关键之一的高质量层叠层状BN薄膜,MeTRe法在基板上层叠具有层状结晶结构的高质量BN薄膜,并在上面再层叠高质量薄膜元件。在这样的结构中,BN薄膜在成长用基板与薄膜元件之间起着像邮票齿孔相同的效果,可轻松剥离并粘贴到其他基板上。据NTT介绍,此次经过找到最佳成膜条件,完成了结晶方向一致的高质量BN薄膜的层叠。

  而两一个开发关键即在层状BN薄膜上高质量层叠GaN薄膜元件,其开发技能首先在层状BN薄膜上层叠晶体结构不同的AlxGa1-xN(氮化铝镓)或AlN(氮化铝)作为缓冲层,然后再层叠GaN薄膜元件。在层状BN薄膜上直接层叠具有纤锌矿结构的GaN的话,因为晶体结构不同,因而难度很大。而含Al的AlxGa1-xN及AlN与衬底基板具有杰出的浸润性,被广泛用于层叠在晶体结构不同的基板上。经过将这类物质用作层状BN薄膜与GaN之间的缓冲层,不论晶体结构是否不同,均可层叠构成高质量的薄膜元件。

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